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ANSI/HL7 V3 RCL, R 1-2003 HL7标准版本3标准:版本3内容的改进、约束和本地化.发行1

作者:标准资料网 时间:2024-05-02 19:26:30  浏览:9903   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:HL7StandardVersion3Standard:Refinement,ConstraintandLocalizationtoVersion3Messages,Release1
【原文标准名称】:HL7标准版本3标准:版本3内容的改进、约束和本地化.发行1
【标准号】:ANSI/HL7V3RCL,R1-2003
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:2003
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(ANSI)
【起草单位】:ANSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Informationprocessing;Informationsystems;Medicalinformatics;Messages;Refinement
【摘要】:
【中国标准分类号】:C07
【国际标准分类号】:35_240_80
【页数】:
【正文语种】:英语


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【英文标准名称】:Testingmethodofresistivityforsiliconcrystalsandsiliconwaferswithfour-pointprobe
【原文标准名称】:用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
【标准号】:JISH0602-1995
【标准状态】:现行
【国别】:日本
【发布日期】:1995-11-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JP-JISC)
【起草单位】:TechnicalCommitteeonElectronics
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;电阻率;材料的电学性质;电阻测量;晶体(电子);电气试验;晶体
【英文主题词】:electricalresistivity;electricalpropertiesofmaterials;;resistancemeasurement;electricaltesting;crystals;
【摘要】:この規格は,シリコン単結晶(以下,単結晶という。)及びシリコンウェーハ(以下,ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は,P形は0.001~2000Ω·cm,N形は0.001-6000Ω·cmとする。
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045;77_120_99
【页数】:14P;A4
【正文语种】:日语